讲座时间：2026年8月27日（星期四）9:30

讲座地点：51视频 犀浦校区综合楼148

主讲人：Josef Lutz，教授

主持人：谢东

主讲人简介：

Josef Lutz教授，德国开姆尼茨工业大学资深教授，是功率半导体可靠性领域泰斗级学者，主要研究功率半导体器件设计及老化机理、芯片与封装可靠性、动态鲁棒性以及电动汽车可靠驱动，负责德国、欧盟及其他国家多项国际合作研究项目；发明局域寿命控制二极管（CAL-diode，首个在所有应用条件下均具有软恢复特性的二极管，自1995年已大批量生产应用）、GTO晶闸管和快速恢复二极管，是赛米控和英飞凌公司25多项专利的发明人或共同发明人；发表了300多篇国际期刊和会议论文，出版专著（含合著）8部，以第一作者身份出版的电力电子领域权威著作《功率半导体器件-原理、特性和可靠性》是功率半导体器件研究者的核心参考书，通过中文、英文、德文等版本在全球广泛发行。

Josef Lutz教授是IEEE高级会员，PCIM Europe董事，德国开姆尼茨微电子中心（ZfM）董事，EPE、ISPS、CIPS、ISPSD等技术委员会成员，Microelectronics Reliability编辑顾问委员会成员，TPEL的客座编辑，入选电力电子领域全球Top 1%高被引研究者，获俄罗斯北高加索联邦大学荣誉教授称号，获欧洲电力电子及应用大会（EPE 2017）“Outstanding Achievement Award”。

报告简介：

This lecture addresses the dynamic robustness of Wide Bandgap (WBG) power devices, defined as their capability to withstand overload conditions without catastrophic failure. While these devices generally exhibit high overload capability during standard switching operations, short-circuit events remain a critical threat to both Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) technologies.

Specific industry-relevant challenges will be examined, including the requirements for automotive active short-circuit conditions, which impose unique load profiles on the devices. Furthermore, the phenomenon of bipolar degradation in SiC devices under repetitive surge current conditions will be analyzed. The presentation will conclude with a discussion of potential countermeasures and design strategies to mitigate these risks and enhance the dynamic robustness of WBG power electronic systems.